研究目的
研究大面积粗糙基底上垂直生长的MoS2和MoSe2在高效弱光透明光伏器件中的光载流子引导行为。
研究成果
该研究成功证明了垂直生长的MoX2薄膜可作为粗糙基底上非晶硅薄膜太阳能电池的透明导电层，在弱光条件下显著提升电池性能。这些透明电池展现出卓越的功率转换效率和较高的串联电阻值，适用于建筑集成光伏窗户或室内光伏应用。
研究不足
该研究的局限性在于在粗糙基底上生长高质量MoX2薄膜的技术约束，以及生长过程存在进一步优化以提升电池性能的潜力。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用抑制金属聚集生长法（MASG），在粗糙的透明导电氟掺杂氧化锡（FTO）玻璃衬底上垂直生长MoX2（X = S, Se）薄膜，并将其作为透明氢化非晶硅（a-Si:H）薄膜太阳能电池（TFSCs）中的光生载流子引导层（CGL）。
2：样品选择与数据来源：
样品包括生长在SiO2/Si和FTO玻璃衬底上的MoS2与MoSe2薄膜。FTO衬底的均方根（rms）粗糙度为38.0纳米。
3：0纳米。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：设备包括太阳光模拟器（ORIEL仪器）、透射电镜系统（JEOL JEM-ARM200F）、拉曼光谱系统（HORIBA Jobin Yvon）以及紫外/可见/近红外分光光度计（Lambda 1050）。材料包括硫和硒颗粒（99.999%，i TASCO）以及钼颗粒（99.99%，LTS）。
4：999%，i TASCO）以及钼颗粒（99%，LTS）。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：Mo薄膜在SiO2/Si衬底上以500、600或700°C的生长温度硫化或硒化；或在FTO玻璃衬底上以530°C硫化或硒化。硫和硒裂解区的温度为950°C。p型μc-Si:H、本征a-Si:H和n型μc-Si:H层通过等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）在200°C的衬底温度下沉积。
5：600或700°C的生长温度硫化或硒化；或在FTO玻璃衬底上以530°C硫化或硒化。硫和硒裂解区的温度为950°C。p型μc-Si:
5. 数据分析方法：J-V特性在室温下以100至20 mW cm?2的光强通过太阳光模拟器测量。EQE值通过EQE测量系统（IQE-200，Newport）测量。
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TEM system
JEM-ARM200F
JEOL
Obtaining TEM images of cells.
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solar simulator
ORIEL Instruments
Measuring the J–V characteristics of solar cells.
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Raman spectroscopy system
HORIBA Jobin Yvon
Performing Raman spectroscopy analyses.
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ultraviolet/visible/near infrared spectrophotometer
Lambda 1050
Measuring transmittances.
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AFM system
XE-100
Park Systems
Obtaining nanoscale surface images of the various films.
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