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本征缺陷对电导率的限制及克服Sb?S?基太阳能电池效率瓶颈的两步p型掺杂策略

DOI:10.1002/solr.201900503 期刊:Solar RRL 出版年份:2019 更新时间:2025-09-12 10:27:22
摘要: 自2014年实现7.5%的最高效率[《先进功能材料》24卷3587页]以来,基于Sb2S3的太阳能电池光伏效率提升已停滞五年。一个重要瓶颈在于Sb2S3的高电阻率。我们的第一性原理计算表明,这种高电阻率源于本征施主缺陷VS与具有相当高浓度(低形成能)的受主缺陷VSb、SbS、SSb之间的补偿效应。该补偿效应也限制了通过直接外源掺杂提升导电性的可能。对氧掺杂的进一步计算显示,OS具有低形成能,因此主导性本征施主VS可被氧钝化,从而突破VS造成的p型掺杂限制。同时,在富硫条件下其他限制p型导电及作为复合中心的施主缺陷能被抑制,这解释了为何在硫化处理后氧掺杂Sb2S3实现了最高效率。鉴于氧掺杂与硫化处理的意外增效作用,我们提出两步掺杂策略以突破效率瓶颈:(i)利用氧钝化VS并通过富硫条件抑制其他有害缺陷,使p型掺杂可行并延长少数载流子寿命;(ii)引入其他p型掺杂剂以提高空穴载流子浓度。
作者: Zenghua Cai,Chen-Min Dai,Shiyou Chen
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研究概述 实验方案

研究本征缺陷对电导率的限制,并提出两步p型掺杂策略以克服基于Sb2S3的太阳能电池效率瓶颈。

研究表明,Sb2S3的高电阻率源于本征施主缺陷与受主缺陷之间的补偿作用。氧掺杂可钝化主要施主缺陷并使p型掺杂成为可能,有望突破Sb2S3基太阳能电池的效率瓶颈。研究提出两步掺杂策略以进一步提升材料导电性和电池性能。

该研究基于计算模拟,所提出的掺杂策略需通过实验验证。两步掺杂策略在实际太阳能电池制备中的实际应用可能面临材料合成与掺杂控制方面的挑战。

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