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二维氢化起伏砷化镓:一项从头算研究

DOI:10.1088/1361-648X/ab6043 期刊:Journal of Physics: Condensed Matter 出版年份:2019 更新时间:2025-09-12 10:27:22
摘要: 我们采用第一性原理计算研究了三种可能构型(椅式、锯齿线式和船式)的二维氢化砷化镓的稳定性、结构及电子性质,并分析了范德华相互作用对二维H-GaAs体系的影响。这些构型均具有能量稳定性和动力学稳定性,且呈现半导体特性。虽然氢吸附的二维砷化镓倾向于形成锯齿线构型,但椅式、锯齿线式与船式构型间的能量差异极小,表明该体系具有亚稳态特征。椅式和船式构型呈现Γ-Γ直接带隙特性,而原始二维砷化镓与锯齿线构型为间接半导体。所有构型的带隙尺寸均受氢含量影响,且采用PBE和HSE泛函计算时均比原始二维砷化镓更宽。尽管DFT-vdW相互作用会增大吸附能并缩短H-GaAs体系的平衡距离,但其对体系稳定性与电子性质的定性物理结果与PBE泛函一致。研究结果表明:二维起伏砷化镓与同族III-V材料(二维起伏氮化镓和氮化硼)类似,是通过表面氢钝化合成的优质候选材料。二维砷化镓的氢化作用可调控原始二维砷化镓的带隙,使其成为蓝紫光波段光电应用的潜在候选材料。
作者: A. González-García,W. López-Pérez,R. González-Hernández,J. Rivera-Julio,C. Espejo,M. V. Milosevic,F. M. Peeters
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研究概述 实验方案

研究具有三种可能几何构型(椅式、锯齿线式和船式构型)的二维氢化砷化镓的稳定性、结构及电子性质。

具有椅式、船式和锯齿线构型的二维氢化砷化镓是带隙可调的稳定半导体,使其成为可见电磁波谱范围内光电子应用的潜在候选材料。

该研究是理论性的,依赖于计算模型。需要实验验证来确认这些发现。

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