研究目的
研究基于GaAs(001)衬底上2×4表面重构生长的InAs亚单层量子点的红外探测器生长条件与性能表现。
研究成果
该研究成功展示了在2×4表面重构条件下高质量SMLQDs的生长，实现了9.2×101? cm Hz1/2 W?1的比探测率。进一步优化可提升器件性能。
研究不足
该研究受限于初始实验设置的噪声底限，且SMLQDIP结构及沉积参数需进一步优化。
1：实验设计与方法选择：
研究通过分子束外延在特定条件下生长亚单层量子点，以实现2×4表面重构。
2：样品选择与数据来源：
样品生长于GaAs(001)衬底上，有源区由10层亚单层量子点构成。
3：实验设备与材料清单：
分子束外延(MBE)系统、GaAs(001)衬底、InAs和GaAs材料、Al0.1Ga0.9As势垒层。
4：1Ga9As势垒层。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：生长过程包括在极低砷通量下依次沉积InAs和GaAs层以维持2×4表面重构。
5：数据分析方法：
通过光谱响应、黑体响应度、暗电流及噪声测量评估性能。
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Molecular Beam Epitaxy (MBE) system
Used for the growth of submonolayer quantum dots and the deposition of InAs and GaAs layers.
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GaAs(001) substrate
Base material for the growth of the infrared photodetector structure.
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InAs and GaAs materials
Used for the formation of submonolayer quantum dots and the surrounding matrix.
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Al0.1Ga0.9As barriers
Used to confine carriers within the quantum dots and enhance the device's performance.
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