研究目的
研究N极性取向InGaN/GaN多量子阱(MQW)太阳能电池的性能，包括温度、自发极化和压电极化对转换效率的影响。
研究成果
温度升高会因带隙变窄和载流子复合概率增加而显著降低InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的效率。理论模型表明，通过优化结构并采用相变材料可缓解温度影响并提升性能。
研究不足
该研究为理论性研究，侧重于建模与仿真，未进行实验验证。文中指出了生长高铟含量高质量InGaN层所面临的实际挑战，但未通过实验予以解决。
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InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的温度依赖性
DOI：10.1016/j.egypro.2018.11.245
期刊：Energy Procedia
出版年份：2019
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
基于氮化物家族（尤其是GaN/InGaN家族）的元件在可再生能源转换系统中具有重要价值，它们在光伏应用领域展现出巨大潜力，例如用于实现聚光太阳能电池。这种价值源于通过生长具有不同带隙（从而具有不同吸收波段）的多层电池，从而扩大太阳能电池可捕获的太阳能量谱范围的可能性。本文研究了N极性取向的InGaN/GaN多量子阱（MQW）太阳能电池的性能。为获得精确的转换效率，模型中考虑了温度效应以及自发极化和压电极化效应。结果表明，温度升高会显著降低MQW太阳能电池的效率。我们的研究结果和讨论将有助于实验中设计和制造高效的InGaN/GaN太阳能电池。
作者：
Rabeb Belghouthi，Michel Aillerie
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