研究目的
研究掺硼p型直拉法生长硅（Cz-Si）太阳能电池中硼氧缺陷的再生动力学与再生条件下过剩载流子浓度Δn的函数关系。
研究成果
实验结果表明，在再生过程中，再生速率常数Rde与过剩载流子浓度Δn呈比例增长，证实了先前提出的再生过程缺陷模型。
研究不足
该研究仅限于特定再生条件（高温和正向偏压）下的掺硼p型直拉法生长硅太阳能电池。再生过程中Δn的变化小于10%，这被认为几乎恒定，但可能影响结果的精确度。
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通过电致发光研究再生条件下Cz-Si太阳能电池中硼氧中心失活的直接检测
DOI：10.1109/JPHOTOV.2019.2926855
期刊：IEEE Journal of Photovoltaics
出版年份：2019
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
我们研究了掺硼p型直拉法生长硅（Cz-Si）太阳能电池中硼氧缺陷的再生动力学，重点考察了再生条件（即高温140°C）下过剩载流子浓度Δn的影响。通过向暗态电池施加不同正向偏压（Vappl），并在电池再生过程中分时段直接测量其电致发光（EL）信号，我们能够针对每个施加电压直接测定再生过程中的Δn。除EL信号外，我们还测量了再生过程中流经电池的电流——该电流与电池整体复合速率成正比，因而能反映再生过程中体区复合特性的变化?；诓獾玫氖北涞绯氐缌?，我们确定了硼氧缺陷的失活速率常数Rde。实验结果明确显示：再生过程中Rde与Δn呈正比增长关系。
作者：
Lailah Helmich，Dominic C. Walter，Jan Schmidt
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