研究目的
通过157纳米F2激光照射研究硅硬涂层聚碳酸酯上铝薄膜的无电阻图案化方法，用于制造智能聚碳酸酯窗电极。
研究成果
采用F2激光辐照的无抗蚀剂图案化方法通过在铝薄膜表面形成Al2O3并在界面处生成Al-O-Si键，成功实现了聚碳酸酯上铝薄膜的图案化，兼具耐磨性和强附着力。该方法在智能聚碳酸酯窗电极制造领域具有应用前景。
研究不足
该研究仅限于使用F2激光进行图案化，未探索其他激光波长或图案化方法。工艺窗口的研究范围为铝膜厚度达110纳米，但上限尚未充分探究。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用157纳米F2激光对硅胶硬涂层聚碳酸酯上的铝薄膜进行图案化加工。通过光掩模定义图案，并使用氢氧化钾水溶液化学蚀刻去除未照射区域。
2：样品选择与数据来源：
铝薄膜通过真空蒸镀沉积于硅胶硬涂层PC芯片上，其厚度范围为20至110纳米。
3：实验设备与材料清单：
设备包括157纳米F2激光器（LPF pro；相干公司）、X射线光电子能谱仪（KRATOS ULTRA2；岛津）、衰减全反射傅里叶变换红外光谱仪（FT/IR-610；日本分光）、原子力显微镜（Artray；ARTCAM-300MI-HHS-WOM）以及触针式表面轮廓仪（Veeco；DEKTAK3）。材料包含纯度99.999%的铝丝（Newmet）和氢氧化钾（和光纯药）。
4：999%的铝丝（Newmet）和氢氧化钾（和光纯药）。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：通过光掩模用F2激光照射PC基材上的铝薄膜，随后采用氢氧化钾水溶液化学蚀刻去除非照射区域，最后分析其化学键合状态与表面形貌。
5：数据分析方法：
利用XPS和ATR-FTIR测量分析铝薄膜与PC芯片的化学键合情况，采用AFM观察表面形貌。
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获取完整内容-
F2 laser
LPF pro
Coherent
Used for patterning Al thin ?lm on polycarbonate by irradiation.
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X-ray photoelectron spectrometer
KRATOS ULTRA2
Shimadzu
Used to examine the chemical bonding of the Al thin ?lm and PC chip.
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ATR-FTIR spectrophotometer
FT/IR-610
JASCO
Used to examine the chemical bonding of the Al thin ?lm and PC chip.
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AFM
ARTCAM-300MI-HHS-WOM
Artray
Used to examine surface morphology.
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Stylus-type surface pro?lometer
DEKTAK3
Vecco
Used to measure the thickness of Al thin ?lm.
-
Al wire
99.999% purity
Newmet
Used for vacuum evaporation to deposit Al thin ?lm on PC chip.
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KOH
Wako
Used for chemical etching to remove non-irradiated areas of Al thin ?lm.
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