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具有双倒置OLED栅极和纳米线阵列通道的集成压电光电晶体管性能大幅提升

DOI:10.1016/j.nanoen.2019.104101 期刊:Nano Energy 出版年份:2019 更新时间:2025-09-12 10:27:22
摘要: 压电光电子效应在光电子系统、可变形光学处理、生物医学诊断及通信领域具有革命性应用潜力。本研究报道了一种新型结构器件——双压光电晶体管(DPPT),其以压电倒置结构有机发光二极管(OLED)作为栅极控制元件,压电纳米线(NWs)阵列作为电荷传输通道,通过压电光电子效应显著增强栅电极刺激和金属-半导体-金属通道两者的光电特性可调性。我们系统分析了ZnO纳米线分别沿OLED栅极垂直生长和沿纳米线通道水平生长时,在不同弯曲/应变方向与程度下的电子产生情况及电场分布?;敌伪湎碌难沟绻獾缱泳骞苁迪至?0^6的电流开关比,较未形变状态提升超过80倍。这种利用压电光电子效应增强的集成化DPPT器件,有望为各类光电子器件及柔性集成系统开辟创新应用前景。
作者: Sheng Bi,Qikun Li,Zhengran He,Qinglei Guo,Kyeiwaa Asare-Yeboah,Yun Liu,Chengming Jiang
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报道一种新型结构器件——双压电光电晶体管(DPPT),其以压电倒置结构有机发光二极管(OLED)作为栅极控制、压电纳米线(NWs)阵列作为电荷传输通道,通过压电光电子效应对激励栅电极和金属-半导体-金属通道的双重调控,实现光电特性的显著可调增强。

这种高性能双压电光电晶体管的新颖设计,集成了倒置结构OLED作为栅极控制和纳米线作为电荷传输通道,与未施加应变的器件相比,其电流开关比几乎高出两个数量级?;谘沟绻獾缱友в⒌拇葱缕骷?,成功实现了快速响应、稳定且具有应变感应功能的并行阵列。

当应变百分比超过0.55%时,设备会因过度应力而遭受不可修复的损坏。

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