研究目的
表征背面n型多晶硅钝化接触的吸收损耗随多晶硅厚度变化的关系，并理解吸收损耗与钝化质量之间的权衡。
研究成果
研究表明，两组n型多晶硅钝化接触的Jsc（短路电流密度）损失存在显著差异，这归因于自由载流子浓度和钝化质量的差异。吸收损失与钝化质量之间存在权衡关系，这凸显了针对太阳能电池应用优化多晶硅厚度、掺杂和退火条件的重要性。
研究不足
该研究的局限性在于两组多晶硅钝化接触所采用的特定制造工艺和材料。不同退火条件和掺杂水平对钝化质量及吸收损耗的影响尚需进一步研究。
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AIP会议录 [美国物理联合会出版社第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 摩洛哥非斯（2019年3月25-27日）] 第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 背面n型多晶硅钝化接触的吸收损耗特性研究
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AIP会议录 [美国物理联合会出版社第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 摩洛哥非斯（2019年3月25-27日）] 第15届聚光光伏系统国际会议（CPV-15）- 背面n型多晶硅钝化接触的吸收损耗特性研究
DOI：10.1063/1.5123831
出版年份：2019
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
由多晶硅（poly-Si）和薄氧化硅（SiOx）层构成的钝化接触可显著降低硅太阳能电池的复合损耗。然而，由于多晶硅的寄生吸收，这些增益会伴随短路电流密度（Jsc）的损失。即使仅在背面采用钝化接触，特别是重掺杂多晶硅中的自由载流子吸收（FCA），仍可能导致显著的Jsc损失。本研究通过分析红外（IR）波段的前向反射光谱，将这些损失表征为多晶硅厚度（tpoly）的函数。实验对比了两组具有不同n型全区域多晶硅钝化接触的样品与采用磷（P）扩散背面?。˙SF）的参考样品。两组样品相对于参考样品的Jsc损失（ΔJsc）分别为每100纳米多晶硅厚度0.10 mA/cm2和0.42 mA/cm2。通过霍尔测量发现，该差异源于第二组样品多晶硅层中的自由载流子浓度（ND,act）是第一组的三倍以上。另一方面，寿命测量显示仅重掺杂多晶硅样品实现了优异的钝化效果，其隐含开路电压（iVoc）高达736 mV，而第一组样品的iVoc为683 mV，这表明吸收损耗与钝化质量之间存在权衡关系。
作者：
Meri? F?rat，María Recamán Payo，Filip Duerinckx，Jan-Marc Luchies，Martijn Lenes，Jef Poortmans
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