研究目的
采用一种简单且环保的方法合成SnSe2量子点，并将其应用于光电器件中，特别是基于单层石墨烯和SnSe2量子点的紫外探测器，以提高光电响应度。
研究成果
采用简便环保的方法在室温下合成了均匀分布的SnSe2量子点。基于单层石墨烯和SnSe2量子点的紫外探测器展现出快速的光响应时间和高光电响应度，在光电子应用方面具有良好前景。
研究不足
通过优化石墨烯转移工艺可以提高响应时间。当SnSe2量子点厚度超过40纳米时，光电流往往会减小，这可能是由于量子点层间电荷转移减少所致。
1：实验设计与方法选择：
采用去离子水作为溶剂，通过超声和激光烧蚀工艺制备SnSe2量子点。
2：样品选择与数据来源：
将块体SnSe2研磨成粉末，分散于去离子水中，经超声处理后采用1064 nm脉冲Nd:YAG激光辐照。
3：实验设备与材料清单：
高分辨透射电子显微镜（TEM，FEI Tecnai G2 F30）、X射线衍射光谱仪（XRD，Bruker D8 Advance）、拉曼光谱仪（Horiba Labram HR Evolution）、紫外-可见分光光度计（Shimadzu UV-1700）、半导体参数分析仪（Keithley 4200）。
4：0）、X射线衍射光谱仪（XRD，Bruker D8 Advance）、拉曼光谱仪（Horiba Labram HR Evolution）、紫外-可见分光光度计（Shimadzu UV-1700）、半导体参数分析仪（Keithley 4200）。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：将混合物超声处理、辐照、离心后收集含SnSe2量子点的上清液。通过将单层石墨烯转移至Si/SiO2基底、沉积Cr/Au电极并修饰SnSe2量子点制备光电探测器。
5：数据分析方法：
采用TEM、XRD和拉曼光谱表征SnSe2量子点的形貌与结构，利用半导体参数分析仪研究其光电特性。
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