研究目的
展示了一种采用预处理III-V族半导体光放大器(SOAs)的微转移印刷硅基III-V分布式布拉格反射镜(DBR)激光器。
研究成果
利用微转移打印技术展示的硅基III-V族分布式布拉格反射镜激光器，彰显了该技术在实现硅基III-V族光子集成电路方面的潜力——既能整合预制造、预测试器件，又具备高通量集成的优势。
研究不足
该技术需要具备在大尺寸晶圆上加工III-V族器件的能力，且可能面临复合良率问题，因为激光器只能在集成后进行测试。硅光子学后端工艺流程需进行调整以适配III-V族器件。
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[2019年IEEE第16届第四组光子学国际会议(GFP) - 新加坡, 新加坡 (2019.8.28-2019.8.30)] 2019年IEEE第16届第四组光子学国际会议(GFP) - 微转移印刷III-V族材料硅基C波段分布布拉格反射激光器
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DOI：10.1109/GROUP4.2019.8925541
出版年份：2019
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
我们展示了一种采用预处理III-V族半导体光放大器（SOA）的微转移印刷III-V族/硅分布式布拉格反射镜（DBR）激光器，在1565纳米波长下获得了6毫瓦的波导耦合输出功率。
作者：
Jing Zhang，Sulakshna Kumari，S?ren Dhoore，Grigorij Muliuk，Agnieszka Gocalinska，Emanuele Pelucchi，Brian Corbett，Gunther Roelkens
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