研究目的
研究基于硅结构上自组装锗纳米岛制备的光子晶体平板中的光致发光增强现象。
研究成果
研究表明,在具有自组装锗纳米岛的硅结构上制造的 photonic crystal slabs(光子晶体平板)的光致发光强度显著增强,这归因于纳米岛与光子晶体模式之间的相互作用。该发现凸显了这些结构在光电子应用方面的潜力。
研究不足
该研究仅限于室温测量和光子晶体平板的特定晶格周期。锗纳米岛与光子晶体模式之间的相互作用机制在不同条件下可能有所变化。
1:实验设计与方法选择:
研究采用电子束光刻和ICP/RF等离子体刻蚀技术在硅结构上制备含自组装锗纳米岛的光子晶体平板,应用了标准微区光致发光方案与辐射方向图分析方案两种实验方案。
2:样品选择与数据来源:
使用生长于绝缘体上硅衬底、包含五层锗纳米岛的多层硅结构样品。
3:实验设备与材料清单:
Mitutoyo M Plan APO 10倍物镜(数值孔径0.26)、532纳米固态激光器、锗探测器、布鲁克IFS 125 HR傅里叶光谱仪。
4:26)、532纳米固态激光器、锗探测器、布鲁克IFS 125 HR傅里叶光谱仪。 实验流程与操作步骤:
4. 实验流程与操作步骤:在正入射几何条件下激发并检测发光信号,通过斜入射方式进行辐射方向图分析。
5:数据分析方法:
以高光谱分辨率记录光致发光光谱,并采用有限元法与散射矩阵法进行理论模拟。
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Fourier spectrometer
Bruker IFS 125 HR
Bruker
Used for recording luminescence spectra with high spectral resolution.
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Mitutoyo M Plan APO objective
10x magnification (NA=0.26)
Mitutoyo
Used for excitation and detection of luminescence signal in normal incidence geometry.
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solid-state laser
532 nm
Used for excitation of photoluminescence signal.
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Ge detector
Used for recording luminescence spectra.
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