研究目的
利用金属碳纳米管(CNTs)在氮化硅波导上展示透明电导体,在电流密度达到35微安/微米时仍能实现可忽略不计的传输损耗变化。
研究成果
金属碳纳米管已被证实可作为氮化硅波导上的透明导电材料,在2%覆盖度下表现出可忽略的光学吸收,且直至35微安/微米的电流密度时传输性能无明显下降。其40千欧的直流电阻及S11参数在10吉赫兹内保持平坦的特性,为在氮化硅光子平台上实现电路提供了良好前景。
研究不足
该研究的局限性在于碳纳米管(CNTs)在氮化硅微环谐振器(SiN MRR)上的覆盖比例,最佳性能出现在2%的覆盖比例下。更高的覆盖比例会导致光学吸收增加。通过退火处理可以进一步降低碳纳米管互连的电阻。