研究目的
研究横向Ga(In)AsP纳米结构作为光伏器件减反射涂层的应用。
研究成果
研究表明，利用横向Ga(In)AsP纳米结构作为砷化镓基光伏转换器的减反射涂层具有潜力。通过固定温度下调节生长时间，可以控制纳米结构的形貌和减反射特性。此类涂层的应用能显著提高光伏转换器的外量子效率。
研究不足
该研究聚焦于特定条件下生长的Ga(In)AsP纳米结构，其发现可能无法直接适用于其他材料或生长方法?？狗瓷湫阅芷拦澜鱿抻?00–800纳米的有限光谱范围。
1：实验设计与方法选择：
本研究在准封闭体系中，通过磷和铟蒸气在GaAs(100)表面催化生长Ga(In)AsP横向纳米结构。通过固定温度下改变生长时间来调控表面形貌。
2：样品选择与数据来源：
采用抛光外延级GaAs(100)晶圆作为衬底。
3：实验设备与材料清单：
配备Carl Zeiss SUPRA25显微镜的扫描电子显微镜(SEM)、搭载HA_NC悬臂的NT-MDT Integra-Aura原子力显微镜、光谱分辨率不低于1 cm–1的拉曼光谱仪，以及用于反射率测量的UPB-150-ART积分球。
4：实验流程与操作步骤：
在不同温时条件下生长纳米结构，通过SEM和AFM观察表面形貌，获取拉曼光谱分析组分，并测量反射率与外量子产率的光谱特性。
5：数据分析方法：
将表面形貌、组分与减反射性能及光伏性能进行关联分析。
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Carl Zeiss SUPRA25 microscope
SUPRA25
Carl Zeiss
Examining the surface morphology of the samples by scanning electron microscopy.
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AvaSpec 2048 fiber optic spectrometer
2048
AvaSpec
Recording the reflection spectra connected to the output port of the integrating sphere.
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NT-MDT Integra-Aura installation
Integra-Aura
NT-MDT
Atomic-force microscopy in the contact mode.
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UPB-150-ART integrating sphere
UPB-150-ART
Examining the spectral dependences of the total reflectance.
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