研究目的
利用脉宽扩展的准分子激光和多次辐照研究4H-SiC中铝掺杂深度的增加。
研究成果
采用长脉宽、低峰值功率的激光可实现多次辐照，显著增加铝掺杂深度并提升掺杂区域的均匀性。该方法减少了材料烧蚀现象，降低了对激光强度不均匀性的敏感性，为碳化硅功率器件的实际制备应用提供了可能。
研究不足
掺杂深度可能受限于激光束在4H-SiC中的穿透深度，观测到的最大深度约为200纳米。
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利用扩展脉冲准分子激光提高4H-SiC中铝的激光掺杂深度
DOI：10.4028/www.scientific.net/msf.963.412
期刊：Materials Science Forum
出版年份：2019
更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要：
研究了通过向沉积在4H-SiC表面的铝膜照射脉宽展宽的准分子激光来实现4H-SiC的铝掺杂。构建了光学脉冲展宽器，产生的激光脉冲峰值强度降至原脉冲的一半，脉宽从55纳秒扩展至100纳秒。研究发现，展宽脉冲的照射能减少材料表面烧蚀并允许多次脉冲照射，从而使铝掺杂深度显著增加。多次展宽脉冲照射还能降低对激光强度空间不均匀性的敏感性，并提高掺杂区域的均匀性。
作者：
Akihiro Ikeda，Takashi Shimokawa，Hiroshi Ikenoue，Tanemasa Asano
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