研究目的
展示了一种采用预处理III-V族半导体光放大器(SOAs)的微转移印刷硅基III-V分布式布拉格反射镜(DBR)激光器。
研究成果
该演示展示了微转移印刷技术在实现III-V族材料与硅基光子集成电路集成方面的潜力,在1565纳米波长下实现了6毫瓦的波导耦合输出功率。
研究不足
该技术需要具备在大尺寸晶圆上加工III-V族器件的能力,并对硅光子学后端工艺流程进行适配以兼容III-V族器件。
研究目的
展示了一种采用预处理III-V族半导体光放大器(SOAs)的微转移印刷硅基III-V分布式布拉格反射镜(DBR)激光器。
研究成果
该演示展示了微转移印刷技术在实现III-V族材料与硅基光子集成电路集成方面的潜力,在1565纳米波长下实现了6毫瓦的波导耦合输出功率。
研究不足
该技术需要具备在大尺寸晶圆上加工III-V族器件的能力,并对硅光子学后端工艺流程进行适配以兼容III-V族器件。
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