研究目的
研究采用直接激光干涉图案化（DLIP）工艺处理的WO3传感器与仅退火处理的WO3传感器相比，在NO2检测性能提升方面的表现。
研究成果
经DLIP处理的WO3传感器对NO2的响应增强，且相比仅退火处理的传感器具有更低的检测限。DLIP处理后保持了四方晶结构，表面还原层提升了传感性能。该传感器对CO和HCHO表现出低交叉敏感性，适用于环境监测。
研究不足
该研究仅限于WO3薄膜及其对NO2、CO和HCHO的响应。未探究DLIP工艺对其他材料或气体的影响。在不同环境条件下的实际应用还需进一步研究。
1：实验设计与方法选择
本研究制备了两种WO3传感器：一种经退火后进行DLIP处理，另一种仅退火处理。采用原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）、掠入射X射线衍射（GIXRD）、拉曼光谱和飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）表征样品的结构与形貌特性，并通过电学测试评估传感器对NO2、CO和HCHO的响应性能。
2：样品选择与数据来源
在带有铂叉指电极的氧化铝基底上溅射WO3薄膜，样品经600°C退火处理，部分样品进一步进行DLIP加工。
3：实验设备与材料清单
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4：实验流程与操作步骤
在氧化铝基底沉积WO3薄膜，经600°C退火处理，部分样品进行DLIP加工后，开展形貌与结构表征，并通过电学测量评估气体传感性能。
5：数据分析方法
传感器响应定义为空气中的电导率与气体中的电导率之比，计算灵敏度与检测限(LOD)，并研究对CO和HCHO的交叉敏感性。
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Scanning Electron Microscope
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