研究目的
通过改性异质结界面化学以减少界面缺陷并抑制复合,从而提高Cu2ZnSnS4(CZTS)太阳能电池的效率。
研究成果
在Zn1?xCdxS沉积过程中引入氢氧化铵可显著减少锌相关氢氧化物和氧化物杂质,提升异质结界面质量并抑制复合。这使得器件性能得到增强,在CZTS太阳能电池中实现了超过10%的效率。然而,要完全缓解复合限制仍需进一步优化界面工程。
研究不足
该研究受限于ZnCdS缓冲层中残留的ZnO相以及缓冲层较差的结晶性,这些因素仍会导致界面复合。异质结界面需要进一步优化。
研究目的
通过改性异质结界面化学以减少界面缺陷并抑制复合,从而提高Cu2ZnSnS4(CZTS)太阳能电池的效率。
研究成果
在Zn1?xCdxS沉积过程中引入氢氧化铵可显著减少锌相关氢氧化物和氧化物杂质,提升异质结界面质量并抑制复合。这使得器件性能得到增强,在CZTS太阳能电池中实现了超过10%的效率。然而,要完全缓解复合限制仍需进一步优化界面工程。
研究不足
该研究受限于ZnCdS缓冲层中残留的ZnO相以及缓冲层较差的结晶性,这些因素仍会导致界面复合。异质结界面需要进一步优化。
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