研究目的
研究一种在常温常压下直接激光书写薄层过渡金属二硫化物(具体为MoS2和WS2)的简易工艺。
研究成果
该研究展示了一种简单、经济高效的激光直写方法,可在常温常压下直接制备薄层过渡金属二硫化物(特别是MoS2和WS2)。该方法能实现设计层数的图案化制备,并适用于其他TMDC材料。未来工作将聚焦于工艺优化及形成机理研究。
研究不足
激光辐照的MoS2晶体质量不如剥离样品,拉曼光谱特征更宽表明了这一点。该过程的机制(无论是热致还是光致)尚未完全明确。
研究目的
研究一种在常温常压下直接激光书写薄层过渡金属二硫化物(具体为MoS2和WS2)的简易工艺。
研究成果
该研究展示了一种简单、经济高效的激光直写方法,可在常温常压下直接制备薄层过渡金属二硫化物(特别是MoS2和WS2)。该方法能实现设计层数的图案化制备,并适用于其他TMDC材料。未来工作将聚焦于工艺优化及形成机理研究。
研究不足
激光辐照的MoS2晶体质量不如剥离样品,拉曼光谱特征更宽表明了这一点。该过程的机制(无论是热致还是光致)尚未完全明确。
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