研究目的
回顾基于绝缘体上硅(SOI)的电可编程布拉格光栅,并探讨其在先进可编程光信号与微波信号处理中的应用。
研究成果
硅光子技术凭借成熟的高良率、低成本CMOS工艺,为波导布拉格光栅的实现提供了绝佳平台。该技术能将波导光栅与其他光子器件集成于单芯片,并具备全系统级集成的潜力。随着高速高效硅调制器与片上锗光电探测器的性能提升,实现全系统级集成展现出广阔前景。
研究不足
主要限制在于,在硅上实现相移布拉格光栅时,由于制造公差较大,导致光谱精度较差。要获得精确的光谱响应需要高精度光刻技术,但目前尚不具备。
1:实验设计与方法选择:
本文综述了绝缘体上硅(SOI)平台上布拉格光栅的实现,重点研究利用硅中的自由载流子等离子体色散效应实现其电学可重构性。
2:样本选择与数据来源:
研究涉及在SOI平台上制备的布拉格光栅。
3:实验设备与材料清单:
使用硅光子芯片、SOI平台以及配备深紫外光刻的CMOS兼容工艺。
4:实验步骤与操作流程:
制备过程包括在硅波导的脊形侧壁创建周期性波纹,并集成PN结以实现电学调谐。
5:数据分析方法:
通过分析光谱测量结果和群延迟响应来评估所制备布拉格光栅的性能。
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