研究目的
开发一种具有多层结构的片上集成光开关，用于信号操控，结合光学聚合物的高热光系数和电光系数优势。
研究成果
所展示的3D集成光开关成功融合了可调谐3D光连接与高速调制功能，在聚合物基光子集成电路及聚合物/二氧化硅混合集成器件领域具有应用潜力。
研究不足
该器件的插入损耗约为16.3分贝，其中包括耦合损耗、垂直耦合损耗、传播损耗、弯曲损耗和分光损耗等多种损耗。TO开关的响应时间约为750微秒，这可能限制其在超高速系统中的应用。
1：实验设计与方法选择：
本研究涉及使用聚合物波导设计和制造3D集成光开关，包含用于热光效应的垂直耦合器以及采用电光聚合物包层波导的MZI结构以实现高速调制。
2：样品选择与数据来源：
所用材料包括作为芯材的SU-8 2002和作为包层材料的P(MMA-GMA)，并将MS-TCF掺杂至P(MMA-GMA)中作为电光聚合物的客体材料。
3：实验设备与材料清单：
设备包括光刻系统、ICP刻蚀系统和M-2000 UI可变入射角光谱椭偏仪；材料包括SU-8 2002、P(MMA-GMA)和MS-TCF。
4：P(MMA-GMA)和MS-TCF。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：制备过程包括旋涂、光刻、ICP刻蚀及电极沉积的热蒸发工艺。
5：数据分析方法：
通过平面光波导测试系统表征器件性能，并测量光学功率和响应时间。
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获取完整内容-
SU-8 2002
Core material for the waveguide
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P(MMA-GMA)
Cladding material and host material of EO polymer
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MS-TCF
Guest material of EO polymer
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M ? 2000 UI variable angle incidence spectroscopic ellipsometer
M ? 2000 UI
Measuring the refractive indices of materials
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ABM Co. Inc. photolithography system
ABM Co. Inc.
Photolithography process
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CE-300I ICP etching system
CE-300I
ULVAC Co. Inc
ICP etching process
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