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[2019年IEEE国际光电器件数值模拟会议(NUSOD) - 加拿大安大略省渥太华(2019年7月8日-12日)] 2019年国际光电器件数值模拟会议(NUSOD) - 基于氮化镓的超辐射发光二极管能效分析

DOI：10.1109/nusod.2019.8807089 出版年份：2019 更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要： 基于氮化镓的超辐射发光二极管（SLED）是增强或虚拟现实设备及其他应用的理想光源。然而，SLED的能效仍远低于LED和激光二极管所报道的峰值水平。本文利用先进的数值器件模拟技术，研究了导致SLED效率低下的内部物理过程。
作者： Joachim Piprek
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究导致基于氮化镓的超辐射发光二极管（SLEDs）低能效的内部物理过程。

研究成果

基于氮化镓的表面发射激光二极管（SLEDs）的墙插效率受到p掺杂波导层低电导率的严重限制，且比激光二极管更易遭受载流子复合损耗（尤其是俄歇复合）的影响，这种损耗会因自加热效应而显著增强?；嵋榻致壅攵哉庑┫拗频目赡芙饩龇桨?。

研究不足

该比较未包含任何针对最大WPE（壁塞效率）的SLED设计优化，例如增加腔长。研究仅限于405纳米的紫光发射波长，虽然指出了蓝绿光谱区域更长波长相关的挑战，但并未深入探究。

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