研究目的
研究利用低频噪声测量作为预测980纳米砷化镓基半导体激光二极管可靠性和质量的无损检测方法。
研究成果
研究表明,低频噪声测量可作为评估980纳米砷化镓基激光二极管质量和可靠性的灵敏指标。测得1/f噪声的频率指数γ介于0.85至1.05之间,其数值变化与激光二极管的封装方式有关。未来研究将探究1/f噪声与表征激光二极管内部缺陷参数之间的关系,以建立定量模型。
研究不足
1/f噪声的产生机制尚不明确,现有实验结果缺乏完善的理论解释。研究还表明,不同的封装方式会对激光二极管的质量和性能产生影响,这意味着基于封装方式的不同可能导致结果的潜在差异。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用低频噪声测量来表征基于砷化镓的激光二极管的性能和质量。
2:样本选择与数据来源:
样本为在砷化镓衬底上通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的980纳米波段InGaAs/GaAs高功率激光二极管。
3:实验设备与材料清单:
使用9812DX 1/f噪声特性系统(美国ProPlus Design Solution Inc.)和IV计4156C(美国安捷伦)。
4:实验步骤与操作流程:
采集电流1/f噪声信号,经9812D放大和快速傅里叶变换后由计算机绘图。测量在屏蔽实验室中进行以避免外部电磁场干扰。
5:数据分析方法:
通过分析噪声的功率谱密度(PSD)确定频率指数、噪声强度和振幅。
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