研究目的
研究通过谐振槽变压器耦合八个VCO核心，在60 GHz八核推推式VCO中实现相位噪声降低的可行性。
研究成果
八核60 GHz推挽式压控振荡器在频率调谐曲线的某些部分显示出相位噪声的改善，但需要进一步研究来解决调谐曲线较低部分的失配问题。
研究不足
从四核到八核VCO的相位噪声改善未达预期，可能是由于用于二次谐波抑制的尾滤器使相位噪声改善呈现窄带特性。
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[2019年IEEE国际微波、天线、通信与电子系统会议(COMCAS) - 以色列特拉维夫(2019.11.4-2019.11.6)] 2019年IEEE国际微波、天线、通信与电子系统会议(COMCAS) - 基于45纳米射频绝缘体上硅CMOS工艺的变压器耦合八核60GHz推推式压控振荡器
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[2019年IEEE国际微波、天线、通信与电子系统会议(COMCAS) - 以色列特拉维夫(2019.11.4-2019.11.6)] 2019年IEEE国际微波、天线、通信与电子系统会议(COMCAS) - 基于45纳米射频绝缘体上硅CMOS工艺的变压器耦合八核60GHz推推式压控振荡器
DOI：10.1109/COMCAS44984.2019.8958108
出版年份：2019
更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要：
本工作展示了一款采用45纳米部分耗尽型（PD）绝缘体上硅（SOI）CMOS工艺制造的60GHz八核推推式压控振荡器（VCO）。我们研究了通过谐振腔变压器耦合八个VCO核心的可行性，并探讨了电路拓扑结构设计考量。实测数据显示，在偏离载波1MHz处，63.4GHz频率点的相位噪声为-95.3dBc/Hz。连续频率调谐范围达19%。八个VCO核心总直流功耗为80mW。完整电路（包含基波与二次谐波输出缓冲器）在1V单电源供电下消耗158mA电流。八核VCO核心区域（不含焊盘）总面积为0.18平方毫米。
作者：
J. Rimmelspacher，R. Weigel，V. Issakov
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