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低正向电压InGaN基红光LED的演示

DOI：10.35848/1882-0786/ab7168 期刊：Applied Physics Express 出版年份：2020 更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要： 我们在此报道了基于(201)面β-Ga2O3衬底生长的InGaN基红光发光二极管(LED)。采用AlN/AlGaN应力补偿层和混合多量子阱结构来提升InGaN有源区的晶体质量。裸LED在20 mA电流下表现出665 nm的峰值波长、0.07 mW的光输出功率和0.19%的外量子效率。其正向电压为2.45 V(20 mA时)，对应的插墙效率为0.14%。根据电致发光的温度依赖性评估，该LED在100 mA电流下的特征温度为222 K。
作者： Daisuke Iida，Zhe Zhuang，Pavel Kirilenko，Martin Velazquez-Rizo，Kazuhiro Ohkawa
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究基于(201)面β-Ga2O3衬底上生长的InGaN基红光LED的性能，该LED采用AlN/AlGaN应变补偿层和混合多量子阱结构。

研究成果

在(201)晶面β-Ga2O3衬底上制备了红光波段的InGaN基发光二极管。该LED器件展现出优异的EL发射温度稳定性：在100 mA电流下特征温度达222 K，峰值波长漂移率为0.085 nm/K。

研究不足

与基于AlInGaP的LED相比，正向电压保持较高水平，因为AlN和AlGaN势垒起到了显著的势垒作用。该LED的特征温度低于基于AlInGaP的LED所报道的数值，表明基于InGaN的红色量子阱通过量子限制斯塔克效应（QCSE）和缺陷主导了非辐射复合过程。

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