研究目的
研究氧分压对WO3薄膜紫外光电探测器性能的影响。
研究成果
在氧分压为10%条件下沉积的WO3薄膜因其具有较高的氧空位浓度、良好的结晶性和较大的晶粒尺寸，适用于具有高光电流和快速上升时间的紫外-A光电探测器。
研究不足
本研究仅限于氧分压对WO3薄膜光电探测器性能的影响。其他沉积参数（如衬底温度和沉积时间）保持不变，这些参数也可能影响光电探测器的特性。
1：实验设计与方法选择：
采用直流（DC）反应磁控溅射技术在Si/SiO2衬底上沉积WO3薄膜，氧分压（pO2）范围为5%-20%。
2：样品选择与数据来源：
通过光谱椭偏仪测量WO3薄膜厚度，X射线衍射（XRD）分析结构特性，X射线光电子能谱（XPS）分析化学状态，场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）观察形貌。
3：实验设备与材料清单：
光谱椭偏仪（M2000D，Woollam型号）、XRD（D/Max-2500型号）、XPS（K-alpha型号）、FE-SEM（FEI Quanta FEG 200）、参数分析仪（HP4156A，惠普公司）、紫外LED光源、锁相放大器（型号SR830 DSP锁相放大器）、光学斩波器（型号SR540斩波控制器）。
4：0）、参数分析仪（HP4156A，惠普公司）、紫外LED光源、锁相放大器（型号SR830 DSP锁相放大器）、光学斩波器（型号SR540斩波控制器）。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：在WO3表面沉积Ti金属电极以测量光电探测器性能，在黑暗和紫外LED光照下研究I-V特性，在不同紫外LED功率密度下进行光电流测量。
5：数据分析方法：
通过标准公式计算光电流、响应度和探测率。
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获取完整内容-
Spectroscopic ellipsometry
M2000D
Woollam
Measuring the thickness of WO3 thin films
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Field emission scanning electron microscopy
FEI Quanta FEG 200
FEI
Characterizing the morphology/microstructure of the WO3 films
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X-ray diffraction
D/Max-2500
Analyzing the structural properties of WO3 films
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X-ray photoelectron spectroscopy
K-alpha
Characterizing the chemical state and binding energies of WO3 thin films
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Parameter analyzer
HP4156A
Hewlett Packard
Studying the current-voltage (I-V) characteristics
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Lock-in amplifier
SR830 DSP Lock-in Amplifier
Measuring the photocurrent of WO3 films
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Optical chopper
SR540 Chopper Controller
Controlling the illumination of UV-LED light
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