研究目的
研究碘化亚铜（CuI）作为p型半导体在混合发光二极管中的光电特性。
研究成果
该研究成功展示了碘化亚铜（CuI）的单晶外延生长，其光电性能优于氮化镓（GaN）。碘化亚铜的本征p型特性及其与硅和氮化镓技术的兼容性，使其成为高效光电器件的理想材料。
研究不足
碘化铜的晶体质量虽足以满足光子器件应用需求，但其缺陷密度高于最优氮化物半导体。为实现最佳器件性能，还需进一步提升晶体质量。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用分子束外延（MBE）技术在硅和蓝宝石衬底上生长单晶碘化亚铜薄膜，旨在解决卤化亚铜单晶外延膜生长的技术难题。
2：样品选择与数据来源：
制备并表征了不同厚度的碘化亚铜样品，根据厚度和晶体质量筛选样品进行后续分析。
3：实验设备与材料清单：
包含用于薄膜生长的MBE系统、结构分析的X射线衍射仪（XRD）、晶体质量评估的透射电子显微镜（TEM）、光学表征的光致发光（PL）装置，以及电学测量的范德堡几何结构。
4：实验流程与操作步骤：
包括碘化亚铜薄膜的外延生长、结构与光学表征，以及制备n-AlGaN/p-CuI异质结进行电致发光测量。
5：数据分析方法：
采用XRD分析结构特性，TEM评估晶体质量，PL研究光学特性，霍尔效应测量获取电学性能数据。
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MBE system
Used for the epitaxial growth of single-crystal CuI films.
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X-ray diffraction
Used for structural analysis of the CuI films.
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Transmission electron microscopy
Used for assessing the crystalline quality of the CuI films.
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Photoluminescence setup
Used for optical characterization of the CuI films.
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van der Pauw geometry
Used for electrical measurements of the CuI films.
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