研究目的
研究制备ZnSe/InP异质结的可行性，旨在在1660-1670纳米光谱波长范围内工作的激光二极管掩埋台面条形结构的平面和异形表面两侧形成孤立结构。
研究成果
在磷化铟表面生长硒化锌层的最佳参数为：衬底温度500-550°C，台面条纹呈[110]晶向。这些条件已成功用于制备工作在甲烷吸收波段的半导体激光二极管，适用于光纤通信系统的遥感应用。
研究不足
该研究的局限性在于获得多晶或单晶硒化锌层所需的衬底温度范围（250至600°C）。超过650°C的温度会导致硒化锌再次蒸发并破坏衬底。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用真空热蒸发法，在平面和异形磷化铟表面生长硒化锌层。
2：样品选择与数据来源：
使用电子浓度高达101?–101? cm?3的Sn或S掺杂InP {100}衬底。
3：实验设备与材料清单：
采用配备克努森池的VUP-5真空系统进行硒化锌生长。
4：实验流程与操作步骤：
生长过程中通过调节磷化铟衬底温度、衬底冷却速率及台面条纹取向实现控制。
5：数据分析方法：
利用光学显微镜和扫描电子显微镜监测生长层厚度，采用ANDO-6330光谱分析仪和FOD-1204功率计研究激光二极管参数。
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获取完整内容-
VUP-5 vacuum system
VUP-5
Used for zinc selenide growth by thermal evaporation in vacuum.
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Knudsen cell
Used in the VUP-5 vacuum system for the growth of zinc selenide layers.
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optical microscope
Used to monitor the thickness of the resultant zinc selenide layers at a magnification of 850×.
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scanning electron microscope
Used to monitor the thickness of the resultant zinc selenide layers at magnifications from 3500× to 10 000×.
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ANDO-6330 optical spectrum analyzer
ANDO-6330
Used to study parameters of laser diodes emitting in the spectral wavelength range 1660–1670 nm.
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FOD-1204 power meter
FOD-1204
Used to measure the output power of the laser diodes.
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PILOT-4 driver
PILOT-4
Used in conjunction with the FOD-1204 power meter to measure the output power of the laser diodes.
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