研究目的
研究硒化温度对电子束蒸发后硒化工艺制备的Sb2Se3薄膜及太阳能电池性能的影响。
研究成果
该研究成功展示了采用电子束蒸发结合硒化工艺制备高质量Sb2Se3薄膜的方法。在360°C的硒化温度下获得了最佳性能，由此制备的太阳能电池实现了1.15%的功率转换效率。该方法对Sb2Se3薄膜太阳能电池的进一步发展显示出良好前景。
研究不足
该研究仅限于硒化温度对采用特定两步法制备的Sb2Se3薄膜及太阳能电池的影响。与其它薄膜太阳能电池相比，这些电池的效率相对较低，表明硒化工艺和器件结构存在潜在的优化空间。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用两步法制备Sb2Se3薄膜，先通过电子束蒸发沉积Sb，再经不同温度硒化处理。
2：样品选择与数据来源：
以钠钙玻璃（SLG）为衬底，沉积Sb前经清洗并镀覆Mo层。
3：实验设备与材料清单：
包括电子束蒸发系统、硒化管式炉、X射线衍射仪（XRD）、拉曼光谱仪、X射线光电子能谱仪（XPS）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、紫外-可见-近红外分光光度计及霍尔效应测试仪。
4：实验流程与操作步骤：
通过电子束蒸发沉积Sb金属前驱体层，随后在340至400°C范围内进行硒化处理，最后对薄膜的结构、光学及形貌特性进行表征。
5：数据分析方法：
采用XRD和拉曼光谱进行结构分析，SEM与AFM分析形貌，紫外-可见-近红外分光光度计测试光学性能，霍尔效应测量评估电学特性。
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