研究目的
研究一种简化方法，通过化学剥离过程中自发形成的垂直系绳将氮化镓LED转移到非常规衬底上，无需牺牲层或额外工艺步骤。
研究成果
该研究成功展示了一种在CLO工艺中利用自发形成的垂直系链将GaN LED简化转移到柔性基板上的方法。此方法能实现GaN LED的大规模转移，由于内应力降低，不仅缩短了工艺时间，还改善了光学和电学特性。
研究不足
该研究聚焦于氮化镓发光二极管向不同基板的转移，但未深入探究其在多变环境条件下的长期稳定性或性能表现。
1：实验设计与方法选择：
本研究涉及在硅衬底上制备基于GaN的LED，随后通过自发形成垂直系链的化学剥离工艺将其转移至不同衬底。
2：样品选择与数据来源：
以450 nm为主发射峰的GaN基LED结构生长于Si(111)衬底上。
3：实验设备与材料清单：
采用金属有机化学气相沉积法生长LED，感应耦合等离子体进行刻蚀，氢氧化钾溶液用于底切。
4：实验步骤与操作流程：
将LED与硅衬底隔离，进行底切处理，涂覆PMMA后转移至新衬底，最后用丙酮去除PMMA。
5：数据分析方法：
通过拉曼光谱、显微光致发光光谱和电致发光光谱分析光学与电学特性。
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获取完整内容-
GaN LED
Light emission
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Inductively Coupled Plasma
Etching
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Potassium Hydroxide
60 wt% aqueous solution
Anisotropic wet etching
-
Poly(methyl methacrylate)
PMMA
Coating for transfer
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