研究目的
研究通过局部液滴蚀刻法获得的GaAs量子点连续发射单光子的不可区分度,并比较不同单光子激发机制以实现高不可区分性。
研究成果
研究表明,在严格共振和非相干声子辅助激发条件下,可从砷化镓量子点获得高度不可区分的单光子,其光子不可区分度超过90%。特别是局域声子(LO声子)辅助激发方案能直接实现激光滤除,因此对于嵌入高亮度光子结构的量子点而言,该方案值得进一步研究和优化。
研究不足
该研究受限于激发态激发下观察到的缓慢弛豫时间,这会导致光子发射出现较大的时间抖动。此外,尽管局域声子辅助激发方案前景良好,但它与可能影响光子不可区分性的缓慢衰减路径相互竞争。
1:实验设计与方法选择:
本研究比较了GaAs量子点上不同的单光子激发机制,包括通过激发态的常规激发、严格共振激发以及非相干声子辅助激发。
2:样品选择与数据来源:
使用通过在AlGaAs中局部液滴刻蚀纳米孔后填充GaAs获得的GaAs量子点。
3:实验设备与材料清单:
量子点层位于由λ/2厚Al0.4Ga0.6As层夹在两个λ/4厚Al0.2Ga0.8As层之间的λ腔中心。在生长的样品顶部放置了一个固体浸没透镜以提高外部收集效率。
4:4Ga6As层夹在两个λ/4厚Al2Ga8As层之间的λ腔中心。在生长的样品顶部放置了一个固体浸没透镜以提高外部收集效率。
实验步骤与操作流程:
4. 实验步骤与操作流程:研究包括在不同激发方案下的光致发光激发光谱、时间相关单光子计数、Hanbury-Brown-Twiss测量和Hong-Ou-Mandel干涉测量。
5:数据分析方法:
数据分析包括用指数函数拟合衰减动力学、评估Hong-Ou-Mandel干涉的可见性以及分析LO声子共振的光谱宽度。
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