研究目的
研究采用倒装芯片技术和激光剥离(LLO)工艺制备的氮化镓基微发光二极管(μLED)阵列的光学特性与性能表现。
研究成果
去除蓝宝石衬底后，LLO工艺成功将光准直度提升了12%，这对制造像素间距小于10微米的显示器（如AR微显示所需）至关重要。但亮度下降了约30%，表明仍需进一步优化。
研究不足
LLO处理后发现亮度大约降低了30%，可能是由于电流泄漏或临界角减小导致全内反射增大所致。LLO工艺还可能增加位错浓度，从而损坏器件。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用倒装芯片技术和激光剥离（LLO）工艺制备μLED阵列。通过LLO工艺去除蓝宝石衬底以提升光准直性。
2：样品选择与数据来源：
采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在2英寸c面蓝宝石衬底上生长GaN LED外延层。
3：实验设备与材料清单：
用于外延生长的MOCVD设备、GaN图案化的ICP-RIE刻蚀机、LLO工艺的准分子激光器、以及用于测量反向电流-电压特性的KEITHLEY 236测试仪。
4：实验流程与操作步骤：
制备过程包含GaN图案化、欧姆接触沉积、钝化处理、凸点金属沉积、倒装芯片键合及LLO工艺。
5：数据分析方法：
采用ImageJ TM软件测量光强分布，通过PR-670分光光度计获取电致发光光谱。
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KEITHLEY 236
236
KEITHLEY
Measuring reverse current–voltage characteristics
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MOCVD
Epitaxial growth of the LED
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ICP-RIE
Patterning GaN and dry-etching via holes for bump metals
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Excimer laser
Laser lift-off process to remove the sapphire substrate
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PR-670 spectrophotometer
PR-670
Obtaining electroluminescence spectra
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