研究目的
研究缺陷对光伏应用中极具前景的吸收材料Sb2Se3电学性能的影响,以理解其p型和n型掺杂潜力。
研究成果
研究表明,Sb2Se3:Cu(p)/Sb2Se3:I(n)可能成为光伏器件的可行同质结,其中由于SbSe反位缺陷预期呈现本征p型半导体特性,而卤化物则诱导n型掺杂。
研究不足
该研究仅限于理论计算,未包含实验验证。未讨论晶界和界面对于薄膜太阳能电池性能的影响。
研究目的
研究缺陷对光伏应用中极具前景的吸收材料Sb2Se3电学性能的影响,以理解其p型和n型掺杂潜力。
研究成果
研究表明,Sb2Se3:Cu(p)/Sb2Se3:I(n)可能成为光伏器件的可行同质结,其中由于SbSe反位缺陷预期呈现本征p型半导体特性,而卤化物则诱导n型掺杂。
研究不足
该研究仅限于理论计算,未包含实验验证。未讨论晶界和界面对于薄膜太阳能电池性能的影响。
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