研究目的
为展示聚焦离子束辐照技术在高度受限区域内局部调控相变材料无序程度的应用,从而实现纳米级灰度图案化以设计光学器件。
研究成果
研究表明,聚焦离子束辐照可用于在高度受限区域内逐步调控相变材料的光学特性,从而实现纳米级灰度图案化。该方法规避了常用直接激光写入的衍射极限,为设计具有本征平面性、非易失性和可重构性的光学超表面开辟了新途径。
研究不足
最小可实现的灰度元素受限于横向散射以及高斯形离子束剖面引起的有效展宽。研究还指出,在空气中退火时GST表面存在氧化的可能性,尽管这被认为可以忽略不计。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用聚焦离子束(FIB)辐照技术对Ge2Sb2Te5(GST)相变材料的光学特性进行局部调控。通过光诱导力显微镜(PiFM)和散射式扫描近场光学显微镜(s-SNOM)等纳米光学成像技术,以纳米级分辨率探测GST材料局部光学极化率的横向变化。
2:样品选择与数据来源:
在(100)晶向硅基底上通过直流磁控溅射法制备约50纳米厚的GST薄膜,并经热退火处理使其结晶为六方相。
3:实验设备与材料清单:
使用配备30千电子伏特镓离子源的常规聚焦离子束系统(FEI Helios NanoLab 600i)进行辐照实验。光学纳米成像采用散射式扫描近场光学显微镜(SNOM,德国neaspec公司neaSNOM型号)和光诱导力显微镜(PiFM,美国Molecular Vista公司VistaScope型号)完成。
4:实验流程与操作步骤:
对GST薄膜施加不同结构图案的离子辐照,并通过SNOM与PiFM技术研究辐照区域与晶态GST之间的局部光学差异。
5:数据分析方法:
通过将修正高斯模型拟合至辐照结构的线扫描数据,提取辐照区域与晶态GST之间的高度差及光学振幅差异。
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