研究目的
开发一种确定性激光蚀刻方案，用于在亚波长等离子体贴片天线内以纳米级精度定位单个胶体量子点发射器，旨在实现高珀塞尔因子和亮度增强。
研究成果
开发的激光刻蚀方案能够确定性制备带有单量子点的亚波长等离激元天线，实现高珀塞尔因子和亮度增强。这为超紧凑光源的可扩展制造铺平了道路。
研究不足
该技术的精度受限于横向50纳米和纵向3纳米的精确度。若未经优化，该工艺可能无法直接适用于所有类型的发射器。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用激光刻蚀方案，在等离子体贴片天线内确定性定位单个胶体CdSe/CdS核壳量子点。该方案通过双波长方法在刻蚀过程中保护量子点。
2：样本选择与数据来源：
使用CdSe/CdS核壳量子点作为发射体。样品制备流程为：将量子点分散液旋涂于镀金硅基底，随后嵌入PMMA层。
3：实验设备与材料清单：
设备包括用于刻蚀的超连续谱激光器、用于激发的脉冲激光器以及用于表征的原子力显微镜(AFM)。材料包含PMMA、LOR光刻胶和天线用金材料。
4：实验流程与操作步骤：
该过程包括量子点荧光定位、双光刻胶层激光刻蚀、沉积金形成天线结构以及剥离工艺完成最终结构。
5：数据分析方法：
采用荧光衰减和光子关联测量来表征珀塞尔因子与亮度增强效应。
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