研究目的
研究采用p型氮化镓与层状二硫化钼制备的P-n异质结二极管的电学特性和光电响应。
研究成果
P-n异质结二极管展现出三阶整流特性，在405纳米激光照射下具有优异的光电性能。该二极管可作为自供电光电探测器工作，证明了MoS2/GaN异质结在高效光电探测器应用中的潜力。
研究不足
该研究受限于对混合维度异质结构中接触界面及电流传输行为的理解。二极管的理想因子偏离理想值，表明MoS2/GaN界面存在界面态。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用p型氮化镓（P-GaN）和层状二硫化钼（MoS2）制备P-N异质结二极管，并对该二极管的电学特性和光响应进行表征。
2：样品选择与数据来源：
P-GaN样品（厚度1微米）通过金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长，MoS2薄片从块状晶体剥离获得。
3：实验设备与材料清单：
电子束光刻系统（EBL型号：eLine plus Raith GmbH）、场发射扫描电子显微镜（FESEM蔡司显微镜）、热蒸发系统、直流探针台（EverBeing-EB6）、Keithley SCS-4200半导体特性分析系统。
4：6）、Keithley SCS-4200半导体特性分析系统。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：对P-GaN样品进行清洁并采用Ni/Au形成欧姆接触，将MoS2薄片剥离至P-GaN样品表面，通过EBL图案化电极，在不同温度下进行电学与光响应测量。
5：数据分析方法：
通过分析电流-电压特性来理解二极管的导电机制与光响应特性。
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获取完整内容-
Semiconductor Characterization System
SCS-4200
Keithley
Used for electrical measurements of the fabricated device.
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Electron beam lithography
eLine plus
Raith GmbH
Used for patterning the contact electrode on MoS2.
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Field emission scanning electron microscope
Zeiss
Used to image the MoS2 flakes.
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DC probe station
EverBeing-EB6
Used for electrical measurements of the fabricated device.
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