研究目的
研究基于ε-Ga2O3的对称叉指肖特基接触型日盲光电探测器制备及其在低强度光信号检测中的性能表现。
研究成果
经验证,肖特基接触的金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的ε-Ga2O3薄膜是实现高探测率日盲紫外探测的优异候选材料,展现出卓越的波长选择性、高比探测率以及对微弱紫外光信号的灵敏响应。
研究不足
该光电探测器的响应时间因所用紫外灯的开关过程而延迟。光电探测器并未在理想的线性动态区域内工作。
研究目的
研究基于ε-Ga2O3的对称叉指肖特基接触型日盲光电探测器制备及其在低强度光信号检测中的性能表现。
研究成果
经验证,肖特基接触的金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的ε-Ga2O3薄膜是实现高探测率日盲紫外探测的优异候选材料,展现出卓越的波长选择性、高比探测率以及对微弱紫外光信号的灵敏响应。
研究不足
该光电探测器的响应时间因所用紫外灯的开关过程而延迟。光电探测器并未在理想的线性动态区域内工作。
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