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具有对称叉指肖特基接触的ε-Ga?O?日盲光电探测器对低强度光信号的响应制备

DOI:10.1088/1361-6463/ab86e5 期刊:Journal of Physics D: Applied Physics 出版年份:2020 更新时间:2025-09-19 17:13:59
摘要: 由于载流子传输的限制,肖特基接触器件的暗电流相对低于欧姆接触器件,从而使光电探测器具有较高的比探测率。本工作采用金属有机化学气相沉积法制备了ε-Ga?O?薄膜,并以金电极为肖特基接触构建了三对叉指式紫外日盲光电探测器。结果表明,该探测器对250 nm波长光响应时展现出优异的波长选择性,响应度达0.52 A W?1。此外,在40/5 μW cm?2的254 nm光照下分别施加5 V电压时,其明暗电流比达到1.82×10?/6.03×102,暗电流低至1.87×10?11 A。相应地,比探测率为1.67×1012 Jones,光响应度为0.198 A W?1/52.54 mA W?1。总体而言,本研究所制ε-Ga?O?被证实是实现高性能日盲探测的优异候选材料。
作者: Zeng Liu,Yuanqi Huang,Chuang Zhang,Jun Wang,Haoran Li,Zhenping Wu,Peigang Li,Weihua Tang
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研究概述 实验方案 设备清单

研究基于ε-Ga2O3的对称叉指肖特基接触型日盲光电探测器制备及其在低强度光信号检测中的性能表现。

经验证,肖特基接触的金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的ε-Ga2O3薄膜是实现高探测率日盲紫外探测的优异候选材料,展现出卓越的波长选择性、高比探测率以及对微弱紫外光信号的灵敏响应。

该光电探测器的响应时间因所用紫外灯的开关过程而延迟。光电探测器并未在理想的线性动态区域内工作。

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