研究目的
为了高效评估当多种不同机制同时导致射频半导体器件（特别是氮化镓高电子迁移率晶体管器件）磨损时其可靠性。
研究成果
所开发的量化固态射频器件磨损退化机制并确定实际射频应用中相应平均失效时间的方法，具有经济高效的特点，且相比通过完整射频寿命测试进行研究，能更清晰地识别与各机制相关的特征参数。
研究不足
该技术要求每个特征参数仅测量一种机制的影响程度且不受其他机制显著干扰，同时这些机制在直流与射频应力下保持不变。退化量必须微小，且所有测试中施加的射频增益压缩程度需相等且恒定。
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[2019年IEEE电力电子与可再生能源会议(CPERE) - 埃及阿斯旺市(2019.10.23-2019.10.25)] 2019年IEEE电力电子与可再生能源会议(CPERE) - 恒定功率发电运行下1500V直流光伏逆变器的热性能评估
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[2019年IEEE电力电子与可再生能源会议(CPERE) - 埃及阿斯旺市(2019.10.23-2019.10.25)] 2019年IEEE电力电子与可再生能源会议(CPERE) - 恒定功率发电运行下1500V直流光伏逆变器的热性能评估
DOI：10.1109/CPERE45374.2019.8980134
出版年份：2019
更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要：
本文描述了一种技术，用于在多个不同机制同时导致射频半导体器件性能退化时高效评估其可靠性。该技术对当前氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）器件具有重要意义，因为已有广泛报道显示多种退化机制会同时显现症状。该技术首先通过识别各机制对应的"特征性"直流参数，随后开展多温度条件下的独立直流应力寿命测试以获取这些特征参数的退化速率及相应阿伦尼乌斯曲线。接着进行单应力条件的射频应力寿命测试（同时监测所有特征参数和射频性能），据此确定直流寿命测试变化率与射频应用变化率之间的"比例系数"。将这些比例系数应用于原始阿伦尼乌斯曲线后，可得到包含多条不同退化机制曲线的射频应用综合阿伦尼乌斯图谱。通过持续监测相应特征参数并开展更多直流及射频寿命测试，该技术可扩展至分析更多退化机制。
作者：
Bruce M. Paine，Steve R. Polmanter，Vincent T. Ng，Neil T. Kubota，Carl R. Ignacio
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