研究目的
研究以掺铝氧化锌（AZO）作为阳极透明电极的量子点发光二极管（QLEDs）的性能，重点分析溅射压力对器件效率和亮度的影響。
研究成果
研究表明，在1毫托溅射压力下制备的AZO薄膜可作为量子点发光二极管（QLED）的高效透明电极，实现高发光效率与亮度。优化AZO与PEDOT:PSS之间的界面能增强空穴注入并平衡电荷，从而提升器件性能。这表明AZO有望成为光电器件中氧化铟锡（ITO）的替代材料。
研究不足
该研究的局限性在于磁控溅射的特定条件及所用材料，可能并不具有普适性。溅射压力的优化及其对器件性能的影响仅针对AZO/PEDOT:PSS界面，不同材料或器件结构下可能会有所差异。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用磁控溅射法制备不同溅射压力的AZO薄膜，用作QLED透明电极，并通过开尔文探针力显微镜测量AZO功函数。
2：样品选择与数据来源：
电致发光层使用ZnCdSeS/ZnS量子点，空穴注入层和传输层分别采用PEDOT:PSS和TFB，电子传输层为ZnO。
3：实验设备与材料清单：
设备包括用于AZO薄膜沉积的磁控溅射系统、用于逐层旋涂的匀胶机，以及用于电学性能测试的霍尔效应测量系统。材料包含AZO靶材、PEDOT:PSS、TFB、ZnCdSeS/ZnS量子点和ZnO。
4：实验流程与操作步骤：
在不同溅射压力下沉积AZO薄膜，随后依次旋涂PEDOT:PSS、TFB、量子点和ZnO层，最后蒸镀Al阴极完成器件制备。
5：数据分析方法：
通过电流密度-电压-亮度（J-V-L）测试和外量子效率（EQE）计算评估QLED性能。
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