研究目的
研究采用单独的BBr3扩散工艺制备绿色激光掺杂选择性发射极以提高n型硅太阳能电池效率的应用。
研究成果
绿色激光掺杂选择性发射极的独立三溴化硼扩散工艺通过降低发射极复合、减少接触电阻并增强蓝光响应，显著提高了n型硅太阳能电池的效率。优化后的工艺展现出提升开路电压（VOC）、填充因子（FF）和转换效率的工业应用潜力。
研究不足
该研究的局限性在于BBr3扩散工艺的特定条件以及绿色激光掺杂的使用，这些可能并不直接适用于所有类型的硅太阳能电池或其他掺杂方法。
1：实验设计与方法选择：
研究采用分步BBr3扩散工艺（包括BSG沉积、硼推进及后氧化）在n型硅片上制备硼选择性发射极，随后进行绿光激光掺杂。
2：样品选择与数据来源：
使用厚度180微米、电阻率1Ω·cm的直拉法n型硅片，通过ECV测量、四探针测试、SEM等技术对样品进行表征。
3：实验设备与材料清单：
波长532nm的Nd:YAG激光器、BBr3管式炉、AgAl浆料、用于钝化的Al2O3/SiNx叠层膜。
4：实验流程与操作步骤：
包含损伤刻蚀、碱制绒、清洗、BSG沉积、硼推进、激光掺杂、后氧化及表征等工序。
5：数据分析方法：
采用ECV分析硼浓度分布，四探针测试方阻，SEM观察表面形貌，Sinton WCT-120评估J0e及钝化效果。
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获取完整内容-
Nd:YAG laser
532 nm
Used for laser doping processes to create selective emitters on silicon wafers.
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BBr3 tube furnace
Used for boron diffusion processes including BSG deposition, B driving in, and post-oxidation.
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AgAl pastes
Used for screen printing on the samples to form contacts, followed by firing.
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Al2O3/SiNx stack films
Used for passivation of boron diffused surfaces to reduce recombination losses.
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