研究目的
研究深陷阱能级诱导的2CuZn+SnZn缺陷团簇在Cu2ZnSnS4和Cu2CdSnS4太阳能电池中对性能的限制作用,并证明在贫铜组分区域通过用Cd替代Zn可抑制这些缺陷。
研究成果
研究表明,诱导深缺陷能级的2CuZn+SnZn团簇可能是铜锌锡硫硒(kesterite)材料中非辐射复合的主要原因,而采用镉进行阳离子替代为调控该缺陷团簇的形成能提供了有效途径。研究展示了一款效率达7.96%的Cu2CdSnS4太阳能电池,这是基于Cu2ZnSnS4的全阳离子替代吸收层材料中实现的最高效率。
研究不足
该研究受限于异质界面存在的严重非理想性,这可能影响不同铜/[镉+锡]比例的Cu2CdSnS4器件的开路电压。此外,+2位点阳离子取代及其伴随的结构变化对能带隙波动特性的影响,仍需进一步研究以理解铜锌锡硫硒矿材料中的能带隙变化本质。
1:实验设计与方法选择:
本研究结合实验结构与光电表征,并采用密度泛函理论(DFT)预测点缺陷形成能。
2:样品选择与数据来源:
制备并表征了不同Cu/[Cd+Sn]比例的Cu2ZnSnS4和Cu2CdSnS4样品。
3:实验设备与材料清单:
XRD测试使用'Bruker D8 Advance'系统,TRPL测试采用660 nm脉冲激光源,PL和拉曼测试使用LabRam HR800-UV和T64000 Horiba-Jobin Yvon光谱仪。
4:实验流程与操作步骤:
通过旋涂溶液制备薄膜与器件并进行退火,随后硫化处理。器件通过电流-电压测试、EQE测试及阻抗谱进行表征。
5:数据分析方法:
缺陷形成能通过DFT计算,光电特性通过PL、TRPL和EQE测试分析。
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获取完整内容-
Bruker D8 Advance
Bruker
X-ray diffraction measurements
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LabRam HR800-UV
Horiba-Jobin Yvon
Photoluminescence and Raman measurements
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T64000
Horiba-Jobin Yvon
Photoluminescence and Raman measurements
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Keithley 2612A
Keithley
Current-voltage measurements
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VS-0852 solar simulator
Simulating AM1.5 conditions
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Bentham PVE300
Bentham
External quantum efficiency measurements
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Autolab PGSTAT302N
Autolab
Impedance spectroscopy measurements
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