研究目的
通过采用应变工程与光学调控相结合的方法，实现超灵敏的二维In2S3光电探测器。
研究成果
该研究通过结合应变工程与光学调控，成功展示了一种超灵敏的二维In2S3光电探测器，实现了超低暗电流、高信噪比和快速响应速度等优异性能指标。这项工作为高性能光电器件的结构工程提供了新思路。
研究不足
该研究聚焦于具有二氧化硅纳米光栅阵列的二维In2S3光电探测器性能，其制备工艺的可扩展性在实际应用中可能需要进一步优化。
1：实验设计与方法选择：
本研究通过应变工程结合光学调控，合成了高度结晶的二维In2S3纳米片，并制备了超灵敏的二维In2S3光电探测器。采用聚焦离子束（FIB）刻蚀引入SiO2纳米光栅阵列，构建二维In2S3的应变形貌。
2：样品选择与数据来源：
二维In2S3纳米片通过物理气相外延（PVE）法制备，并转移至SiO2衬底上。
3：实验设备与材料清单：
设备包括Motic BA310Met显微镜、Olympus BX51暗场显微镜、Hitachi SU8220扫描电子显微镜、Bruker D8 Advance X射线衍射仪、Bruker Dimension FastScan原子力显微镜、FEI Talos F200S透射电子显微镜、Thermo Fisher Escalab 250Xi X射线光电子能谱仪以及HORIBA LabRAM拉曼共聚焦显微镜。
4：实验步骤与操作流程：
制备过程包括将In2S3纳米片图案化并转移至SiO2纳米光栅阵列上，随后沉积Ti/Au电极并在氩气氛围中退火。
5：数据分析方法：
采用Keithley 4200半导体分析仪进行电学与光电测量，通过数字示波器记录瞬态光电流。
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Atomic Force Microscope
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X-ray Photoelectron Spectroscopy
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LabRAM
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Semiconductor Analyzer
4200
Keithley
Electrical and optoelectronic measurements
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Digital Oscilloscope
DPO 4102B
Tektronix
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Scanning Electron Microscope
SU8220
Hitach
Characterization of samples
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Focused Ion Beam
LYRA3 XMU
Tescan
Fabrication of SiO2 nanograting arrays
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