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通过晶格失配和晶体取向调控β-Ga2O3外延薄膜的日盲光电响应特性

DOI:10.1088/1361-6463/ab7e67 期刊:Journal of Physics D: Applied Physics 出版年份:2020 更新时间:2025-09-19 17:13:59
摘要: 实现宽禁带半导体光电特性的调控是下一代功能性光电子器件发展的主要挑战。作为一类引人注目的宽禁带半导体,β-Ga2O3(禁带宽度约4.9 eV)正成为日盲区光电探测器极具潜力的候选材料。本研究通过选用不同对称性和晶格参数的衬底[即(100)面MgO、(100)面MgAl2O4和(0001)面α-Al2O3],成功制备出具有(100)或(2?01)晶向的外延β-Ga2O3薄膜。研究发现光电响应特性与晶格失配度和薄膜取向密切相关:在晶格失配较小的MgO衬底上生长的(100)取向β-Ga2O3薄膜,在254 nm波长下展现出0.1 A·W-1的响应度和4.3×1012 Jones的探测率,较(2?01)取向薄膜提升约一个数量级。该研究为开发高性能日盲光电探测器提供了新策略。
作者: Jie Yu,Yuehui Wang,Haoran Li,Yuanqi Huang,Weihua Tang,Zhenping Wu
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研究概述 实验方案 设备清单

利用晶格失配、衬底对称性和晶体取向效应研究β-Ga2O3薄膜的日盲光电探测特性。

与蓝宝石(Al2O3)衬底上的(2?01)取向β-Ga2O3薄膜相比,氧化镁(MgO)衬底上(100)取向的β-Ga2O3薄膜表现出更高的响应度、探测率和外量子效率,这归因于其面内各向异性和更优异的结晶质量。该研究为实现太阳盲区高性能光电探测器开辟了新途径。

该研究聚焦于晶格失配和晶体取向对光响应特性的影响,但未探究其他潜在变量(如薄膜厚度或掺杂浓度)的作用。

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