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[IEEE 2019年第十二届集成电路电磁兼容国际研讨会（EMC Compo） - 中国杭州（2019.10.21-2019.10.23）] 2019年第十二届集成电路电磁兼容国际研讨会（EMC Compo） - 单壁碳纳米管硅通孔在差分信号传输中的潜在适用性

DOI：10.1109/EMCCompo.2019.8919672 出版年份：2019 更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要： 本文介绍了一种基于芯片载半导体光放大器的高光学对比度（33 dB）超快电光放大开关。通过采用多脉冲阶跃注入电流技术，实现了高达115 ps且超调量小的开关时间。将这些结果与先前的预脉冲阶跃注入电流技术进行对比，在不恶化开关时间的前提下，降低了固有的开关后增益波动。此外，还对该类电光开关的控制脉冲格式进行了数值分析并与实验结果进行了对比。
作者： Rafael C. Figueiredo，Napole?ao S. Ribeiro，Antonio Marcelo Oliveira Ribeiro，Cristiano M. Gallep，Evandro Conforti
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

采用多脉冲阶跃注入电流技术研究基于半导体光放大器的电光开关中开关时间与增益波动的降低方法。

研究成果

MISIC技术能将开关时间有效缩短至115皮秒，同时保持高光学对比度（33分贝）并最小化输出功率波动，在性能上较PISIC技术有显著提升。该研究表明MISIC在增强基于半导体光放大器的电光开关性能方面具有潜力，对降低数据中心网络延迟具有重要意义。

研究不足

该研究受限于封装中的寄生电效应，这阻碍了开关速度的进一步提升和输出功率波动的进一步降低。小信号等效电路模型无法完全预测大信号引发的的非线性行为。

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