研究目的
研究通过直流磁控溅射沉积氧化铟锡（ITO）对隧道氧化物钝化多晶硅接触的影响。
研究成果
通过直流磁控溅射在极低功率密度和室温下沉积ITO，对隧道氧化物钝化多晶硅接触的钝化质量影响极小，经退火处理后iVoc和iFF几乎完全恢复。
研究不足
该研究仅限于ITO沉积和退火的特定条件，以及对隧穿氧化钝化多晶硅接触的影响。需进一步研究以将这些发现推广至其他材料和条件。
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[2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC）- 美国伊利诺伊州芝加哥（2019.6.16-2019.6.21）] 2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC）- 隧道氧化钝化多晶硅接触上沉积ITO的影响
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[2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC）- 美国伊利诺伊州芝加哥（2019.6.16-2019.6.21）] 2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC）- 隧道氧化钝化多晶硅接触上沉积ITO的影响
DOI：10.1109/PVSC40753.2019.8980848
出版年份：2019
更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要：
在本研究中，我们探究了通过直流磁控溅射沉积氧化铟锡（ITO）对隧道氧化物钝化多晶硅接触的影响。在对采用SiNx/Al2O3钝化硼发射极的电池结构中，n+多晶硅背面接触的隧道SiOx钝化层进行ITO沉积前，测得其隐含开路电压（iVoc）和隐含填充因子（iFF）分别为694±10 mV和83±0.6%。经过ITO溅射及退火固化处理后，iVoc和iFF几乎完全恢复，分别达到685±11 mV和81.9±0.8%。这种有效寿命完全恢复的特性归因于采用极低功率密度在室温下进行溅射并固化的独特工艺条件。
作者：
Woojun Yoon，Young-Woo Ok，David Scheiman，Ajeet Rohatgi，Phillip Jenkins
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