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声表面波驱动横向发光二极管中单电子输运的单光子发射

DOI:10.1038/s41467-020-14560-1 期刊:Nature Communications 出版年份:2020 更新时间:2025-09-23 15:19:57
摘要: 半导体中电子自旋量子比特之间的长距离量子传输对于实现大规模量子计算电路至关重要。电子自旋到光子偏振的转换是实现自由空间或光纤耦合量子传输的有前途技术。在这项工作中,我们仅使用常规15纳米砷化镓量子阱上的标准光刻技术,在无需自组装量子点的情况下,展示了声学驱动的单电子单光子产生。该器件中,单个电子被表面声波(SAW)的势阱最小值携带,并传输至空穴区域形成激子。随后激子衰变并在100皮秒内产生单个光学光子。这种未经优化的声表面波驱动电致发光,在单电子极限下(原始直方图中g(2)(0)=0.63±0.03)实现了g(2)(0)=0.39±0.05的光子反聚束效应。我们的工作标志着迈向可扩展量子计算架构中电子-光子(自旋-偏振)量子比特转换的第一步。
作者: Tzu-Kan Hsiao,Antonio Rubino,Yousun Chung,Seok-Kyun Son,Hangtian Hou,Jorge Pedrós,Thomas A. Mitchell,Jonathan P. Griffiths,Ian Farrer,Ateeq Nasir,Gabriel éthier-Majcher,Megan J. Stanley,Richard T. Phillips,David A. Ritchie,Christopher J.B. Ford
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通过声表面波驱动的横向n-i-p结展示单电子产生单光子的过程,这标志着迈向可扩展量子计算架构中电子-光子(自旋-偏振)量子比特转换的第一步。

该研究成功展示了利用声表面波驱动的横向n-i-p结从单电子产生单光子,该结采用完全确定性的光刻工艺制造。这标志着通过单光学光子实现长距离半导体量子比特传输迈出了重要第一步,通过更强的限制和表面钝化有望进一步提升器件性能。

内量子效率较低(约2.5%),这可能是由于蚀刻边缘周围表面态中的俘获和非辐射复合,或者电子在结区附近未发生复合就被带走所致。其g(2)(0)值为0.39,与最优秀的自组装量子点相比偏高,表明在实现更明确的单电子态方面仍有改进空间。

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