研究目的
为展示单脉冲激光干涉技术直接将非晶硅薄膜图案化为直径数百纳米的米氏谐振器阵列,从而实现通过单次激光照射在数十微米区域内制备由数千个半球形纳米颗粒组成的有序介电超表面。
研究成果
研究表明,单脉冲激光干涉是一种直接且高通量制备介质超表面的可行技术。通过控制初始薄膜厚度和激光能量密度来定制米氏谐振器的尺寸与光学响应,为成像、传感和光伏应用开辟了新途径。
研究不足
该技术从根本上受到激光束高斯空间能量分布的限制,这会影响大范围区域的均匀性。此外,图案化过程取决于薄膜厚度和激光能量密度,这可能会限制可获得的纳米结构范围。
1:实验设计与方法选择:
该方法采用单脉冲激光干涉技术直接将非晶硅薄膜图案化为米氏谐振器阵列。该技术基于激光干涉诱导的退润湿效应,通过精确控制激光脉冲能量来制备有序介电超表面。
2:样品选择与数据来源:
通过离子束沉积法在玻璃基底上制备了不同厚度(30纳米、50纳米、70纳米和90纳米)的非晶硅薄膜。
3:实验设备与材料清单:
使用脉宽300皮秒、波长532纳米的皮秒激光器。激光束经衍射光学元件分束为四束后,通过共焦光学系统投射至样品平面。
4:实验流程与操作步骤:
利用激光干涉对硅薄膜进行图案化,通过调控激光能量密度实现不同纳米结构。实时监测过程以确保米氏谐振器的形成。
5:数据分析方法:
采用扫描电镜图像、原子力显微镜测量和拉曼光谱对制备的超表面进行结构与光谱分析,评估所提技术的可扩展性与适用性。
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