研究目的
当多种不同机制同时导致射频半导体器件磨损时,如何有效评估其可靠性——重点研究氮化镓高电子迁移率晶体管器件。
研究成果
与通过射频寿命测试开展完整研究相比,所开发的量化氮化镓高电子迁移率晶体管中各降解机制并确定射频应用平均失效时间的方法更经济、更快捷,且能更清晰地识别与各机制相关的特征参数。
研究不足
该技术要求每个特征参数仅测量一种机制的影响程度且不受其他机制显著干扰,并要求这些机制在直流与射频应力下保持不变。当退化量较小时,该方法最为适用。
研究目的
当多种不同机制同时导致射频半导体器件磨损时,如何有效评估其可靠性——重点研究氮化镓高电子迁移率晶体管器件。
研究成果
与通过射频寿命测试开展完整研究相比,所开发的量化氮化镓高电子迁移率晶体管中各降解机制并确定射频应用平均失效时间的方法更经济、更快捷,且能更清晰地识别与各机制相关的特征参数。
研究不足
该技术要求每个特征参数仅测量一种机制的影响程度且不受其他机制显著干扰,并要求这些机制在直流与射频应力下保持不变。当退化量较小时,该方法最为适用。
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