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[IEEE 2019年国际电气、电子与计算机工程会议(UPCON) - 印度阿格拉(2019.11.8-2019.11.10)] 2019年国际电气、电子与计算机工程会议(UPCON) - 开路电压(Voc)与短路电流(Isc)对光伏组件/阵列最大发电功率影响研究

DOI:10.1109/UPCON47278.2019.8980284 出版年份:2019 更新时间:2025-09-23 15:19:57
摘要: 本文描述了一种技术,用于在多个不同机制同时导致射频半导体器件性能退化时高效评估其可靠性。该技术对当前氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)器件尤为重要,因为已有广泛报道显示多种退化机制可能同时出现。该方法首先确定每种机制对应的直流参数"特征指标",随后通过多组温度条件下的独立直流应力寿命测试获取这些特征参数的退化速率及相应阿伦尼乌斯曲线。接着进行单应力条件的射频应力寿命测试(同时监测所有特征参数和射频性能),据此计算直流寿命测试中参数变化率与实际射频应用中变化率之间的"比例系数"。将这些比例系数应用于原始阿伦尼乌斯曲线后,可得到包含多条不同退化机制曲线的射频应用综合阿伦尼乌斯图谱。通过增加针对特定特征参数的直流/射频寿命测试,该技术可扩展至更多退化机制的评估。
作者: Bruce M. Paine,Steve R. Polmanter,Vincent T. Ng,Neil T. Kubota,Carl R. Ignacio
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研究概述 实验方案

当多种不同机制同时导致射频半导体器件磨损时,如何有效评估其可靠性——重点研究氮化镓高电子迁移率晶体管器件。

与通过射频寿命测试开展完整研究相比,所开发的量化氮化镓高电子迁移率晶体管中各降解机制并确定射频应用平均失效时间的方法更经济、更快捷,且能更清晰地识别与各机制相关的特征参数。

该技术要求每个特征参数仅测量一种机制的影响程度且不受其他机制显著干扰,并要求这些机制在直流与射频应力下保持不变。当退化量较小时,该方法最为适用。

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