研究目的
利用数值分析方法预测多晶硅中由点缺陷(金属间隙原子)和扩展缺陷(位错)引起的注入依赖型少数载流子寿命。
研究成果
建立了通过金属间隙原子和位错在多晶硅(mc-Si)中非辐射复合的模型,并对这两种复合路径进行了比较。计算得出含点缺陷间隙原子和位错的多晶硅太阳能电池的填充因子,反映了载流子寿命对光注入的依赖性。这项工作对更广泛的受众具有参考价值,包括那些设计使用硅以外材料用于聚光光伏电池的研究人员。
研究不足
本文未将点缺陷与扩展缺陷共同作用对载流子复合影响的复杂性纳入研究范围。
研究目的
利用数值分析方法预测多晶硅中由点缺陷(金属间隙原子)和扩展缺陷(位错)引起的注入依赖型少数载流子寿命。
研究成果
建立了通过金属间隙原子和位错在多晶硅(mc-Si)中非辐射复合的模型,并对这两种复合路径进行了比较。计算得出含点缺陷间隙原子和位错的多晶硅太阳能电池的填充因子,反映了载流子寿命对光注入的依赖性。这项工作对更广泛的受众具有参考价值,包括那些设计使用硅以外材料用于聚光光伏电池的研究人员。
研究不足
本文未将点缺陷与扩展缺陷共同作用对载流子复合影响的复杂性纳入研究范围。
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您正在对论文“[2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 通过点缺陷和扩展缺陷模拟多晶硅中注入依赖的非辐射复合”进行纠错
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