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[2019年IEEE国际超声研讨会(IUS) - 英国格拉斯哥(2019.10.6-2019.10.9)] 2019年IEEE国际超声研讨会(IUS) - 通过相邻集成PIN-PMN-PT换能器与定制高压开关ASIC实现的双阵列?？槠唇哟蟮ピ?.75D孔径

DOI：10.1109/ultsym.2019.8925552 出版年份：2019 更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要： 本文描述了一种技术，用于在多个不同机制同时导致射频半导体器件性能退化时高效评估其可靠性。该技术对当前氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）器件尤为重要，因为已有大量文献报道多种退化机制并存的现象。该方法首先确定每种机制对应的直流参数"特征指标"，随后通过多温度条件下的独立直流应力寿命测试获取这些特征参数的退化速率及相应阿伦尼乌斯曲线。接着开展单应力条件的射频应力寿命测试（同时监测所有特征参数和射频性能），据此确定直流寿命测试变化率与实际射频应用变化率之间的"比例因子"。将这些比例因子应用于原始阿伦尼乌斯曲线后，可得到包含多条退化机制分线的射频应用综合阿伦尼乌斯图谱。通过增加针对其他退化机制的直流/射频寿命测试并监测相应特征参数，该技术可进一步扩展适用范围。
作者： Bruce M. Paine，Steve R. Polmanter，Vincent T. Ng，Neil T. Kubota，Carl R. Ignacio
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研究概述 实验方案

研究目的

当多种不同机制同时导致射频半导体器件性能退化时，为有效评估其可靠性，重点研究氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）器件。

研究成果

所开发的用于量化氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）中各降解机制及确定射频应用平均失效时间的方法具有经济高效的特点，能更清晰地识别与各机制相关的特征参数。该方法为高可靠性器件鉴定提供了一种可行方案，且平均失效时间（MTTF）的误差范围可控制在数量级以内。

研究不足

该技术要求每个特征参数仅衡量一种机制的影响程度且不受其他机制显著干扰，同时这些机制在直流与射频应力下保持不变。退化量必须微小，且射频工作状态下的射频增益压缩特性需与应用场景一致。

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